GaAs过时了CMOS工艺将主宰移动互联网和物联网时代OFweek电子工程网dd-【新闻】

GaAs过时了 CMOS工艺将主宰移动互联网和物联网时代 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯： 硅是上帝送给人类的礼物，整个芯片业几乎都拿到了这份礼物，无线通信领域应该尽快得到它。 RFaxis公司市场与应用工程副总裁钱永喜日前在接受媒体采访时如是说。他认为传统采用GaAs(砷化镓)或SiGe(硅锗)BiCMOS工艺制造RF射频前端的时代 该结束 了，纯CMOS工艺RF前端IC将在未来十年内主宰移动互联网和物联网时代。 业界对CMOS PA产品的热情一直没有减退。2014年6月，高通(Qualcomm)并购CMOS PA供应商Black Sand，借以强化其RF360方案竞争力；而在2013年，Avago、RFMD还分别完成了对Javelin和Amalfi的收购，再之前的就是2009年Skyworks收购Axiom Microdevices。 钱永喜说，现有的RF前端模组(FEM)方案通常是把功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)和天线开关等多个分立电路拼接在一个介电基板或封装引线框架上，再采用GaAs/SiGe BiCMOS工艺将其结合在一个模块内。 但CMOS RFeIC产品采用了于众不同的做法 ，它是将多项功能集成在一个纯CMOS单芯片、单硅片(Single-chip，Single-die)的架构之中，包括PA、LNA、收发开发电路、相关匹配网络、谐波滤波器等。 这种做法最直接的优势在于减少了外部电路的元器件数量，简化了厂商的开发设计，缩短了产品上市的时间，进而也降低了成本。根据RFaxis提供的对比数据，在6英寸GaAs晶圆上制造2 m GaAs HBT的成本远大于1000美元，而RFaxis在8英寸纯硅晶圆采用0.18 m Bulk CMOS工艺，在面积增大78%的前提下，成本却远小于1000美元，且能够充分保证产品良率和交付周期。 运用于军事或是工业领域的PA产品采用GaN/GaAs制造还是有可能的，但消费类电子产品一定要基于 标准 工艺才有市场。 钱永喜认为那种依靠稀有元素，采用特殊制造工艺，从而导致产品价格居高不下、成品良率受限的做法是不合时宜的。就像现在由于GaN产能紧张导致4G PA缺货一样，若使用CMOS就不会出现这个问题。RFaxis公司市场与应用工程副总裁钱永喜 他坦承以前在消费领域采用CMOS工艺的技术难度非常大。 击穿电压比较低、功耗高、线性度差、转换效率不高，这些都是传统CMOS工艺器件的弊端。但，RFaxis解决了这些问题。

海南时尚手提包

河北小区雕塑

湖南自动包子机报价

贵州杂志批发